SCT50N120
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
SCT50N120
Símbolo TME:
SCT50N120
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC, SiCFET | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 50A | |
Corrente de dreno em impulso | 130A | |
Potência dissipada | 318W | |
Caixa | HIP247™ | |
Tensão descarga-fonte | -10...25V | |
Resistência no estado de condução | 70mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 122nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto4.44 g
Certificados
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* SCT50N120Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
42 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 28.09 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 28.09 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 26.88 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 26.88 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 25.57 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 25.57 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 25.56 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 25.56 USD
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Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens