SCTL35N65G2V
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
SCTL35N65G2V
Símbolo TME:
SCTL35N65G2V
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 650V | |
Corrente de dreno | 40A | |
Corrente de dreno em impulso | 160A | |
Potência dissipada | 417W | |
Caixa | PowerFLAT 8x8 | |
Tensão descarga-fonte | -10...22V | |
Resistência no estado de condução | 67mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 73nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD STMicroelectronics,
* SCTL35N65G2VQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 15.72 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 15.72 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 14.67 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 14.67 USD