SCTW35N65G2V
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
SCTW35N65G2V
Símbolo TME:
SCTW35N65G2V
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 650V | |
Corrente de dreno | 45A | |
Corrente de dreno em impulso | 90A | |
Potência dissipada | 240W | |
Caixa | HIP247™ | |
Tensão descarga-fonte | -10...22V | |
Resistência no estado de condução | 68mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 73nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto5.38 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT STMicroelectronics,
* SCTW35N65G2VQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
28 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 10.66 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 10.66 USD
Preço líquido para as quantidades de 600 itens - 9.29 USDPreço bruto para as quantidades de 600 itens - 9.29 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens