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SCTW90N65G2V

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W


Fabricante: STMicroelectronics

Referência do Fabricante:
SCTW90N65G2V
Símbolo TME:
SCTW90N65G2V

Especificação

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
90A
Corrente de dreno em impulso
220A
Potência dissipada
565W
Caixa
HIP247™
Tensão descarga-fonte
-10...22V
Resistência no estado de condução
30mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
157nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto5.4 g
Certificados
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SCTW90N65G2V
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Multiplicidade: 1.
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