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SH8JB5TB1

Transístor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8,5A; Idm: -34A; 2W; SO8


Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
SH8JB5TB1
Símbolo TME:
SH8JB5TB1

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
P-MOSFET x2
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
-40V
Corrente de dreno
-8,5A
Corrente de dreno em impulso
-34A
Potência dissipada
2W
Caixa
SO8
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
18,7mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
51nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Versão
ESD
Peso bruto0.1 g
Certificados

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