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SH8MA4TB1

Transístor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8,5A; Idm: 18A; 3W


Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
SH8MA4TB1
Símbolo TME:
SH8MA4TB1

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N/P-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
30/-30V
Corrente de dreno
9/-8,5A
Corrente de dreno em impulso
18A
Potência dissipada
3W
Caixa
SOP8
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
32,5/41,3mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
15,5/19,6nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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