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Fabricante	VISHAY
Tipo de transístor	P-MOSFET x2
Tecnologia	TrenchFET®
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	-20V
Corrente de dreno	-1,3A
Corrente de dreno em impulso	-3A
Potência dissipada	1,25W
Caixa	SC70-6, SOT363
Tensão descarga-fonte	±8V
Resistência no estado de condução	790mΩ
Montagem	SMD
Carga da porta	4nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido

SI1967DH-T1-E3

Transístor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1,3A; 1,25W

Especificação