SI3473CDV-T1-E3
Transístor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI3473CDV-T1-E3
Símbolo TME:
SI3473CDV-T1-E3
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | P-MOSFET | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -12V | |
Corrente de dreno | -8A | |
Corrente de dreno em impulso | -20A | |
Potência dissipada | 4,2W | |
Caixa | SC74, TSOP6 | |
Tensão descarga-fonte | ±8V | |
Resistência no estado de condução | 36mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 65nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal P SMD VISHAY,
* SI3473CDV-T1-E3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.27 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.27 USD