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SI3585CDV-T1-GE3

Transístor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3,1/-1,7A


Fabricante: VISHAY

Referência do Fabricante:
SI3585CDV-T1-GE3
Símbolo TME:
SI3585CDV-T1-GE3

Especificação

Fabricante
VISHAY
Tipo de transístor
N/P-MOSFET
Tecnologia
TrenchFET®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
20/-20V
Corrente de dreno
3,1/-1,7A
Potência dissipada
0,9/8W
Caixa
SC74, TSOP6
Tensão descarga-fonte
±12V
Resistência no estado de condução
78/316mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
4,8/9nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto0.028 g
Certificados

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SI3585CDV-T1-GE3
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Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteRolo = 3 000 itens