SI5935CDC-T1-E3
Transístor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI5935CDC-T1-E3
Símbolo TME:
SI5935CDC-T1-E3
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | P-MOSFET x2 | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -20V | |
Corrente de dreno | -4A | |
Corrente de dreno em impulso | -10A | |
Potência dissipada | 2W | |
Caixa | ChipFET8 | |
Tensão descarga-fonte | ±8V | |
Resistência no estado de condução | 156mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 11nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Caixa - polegadas | 1206 | |
Caixa - mm | 3216 |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI5935CDC-T1-E3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.25 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.25 USD