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Fabricante	VISHAY
Tipo de transístor	N-MOSFET x2
Tecnologia	TrenchFET®
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	20V
Corrente de dreno	8,5A
Corrente de dreno em impulso	30A
Potência dissipada	3,1W
Caixa	PowerPAK® 1212-8
Tensão descarga-fonte	±12V
Resistência no estado de condução	36mΩ
Montagem	SMD
Carga da porta	16nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido

SI7900AEDN-T1-E3

Transístor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8,5A; Idm: 30A

Especificação