SI7942DP-T1-E3
Transístor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5,9A; Idm: 20A
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI7942DP-T1-E3
Símbolo TME:
SI7942DP-T1-E3
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | N-MOSFET x2 | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 100V | |
Corrente de dreno | 5,9A | |
Corrente de dreno em impulso | 20A | |
Potência dissipada | 3,5W | |
Caixa | PowerPAK® SO8 | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 60mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 24nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI7942DP-T1-E3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 1.33 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 1.33 USD