SI7949DP-T1-E3
Transístor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3,2A; 0,94W
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI7949DP-T1-E3
Símbolo TME:
SI7949DP-T1-E3
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | P-MOSFET x2 | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -60V | |
Corrente de dreno | -3,2A | |
Corrente de dreno em impulso | -25A | |
Potência dissipada | 0,94W | |
Caixa | PowerPAK® SO8 | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 64mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 40nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores multi-canal VISHAY,
* SI7949DP-T1-E3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.70 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.70 USD
Preço líquido para as quantidades de 6000 itens - 0.68 USDPreço bruto para as quantidades de 6000 itens - 0.68 USD