SI8497DB-T2-E1
Transístor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI8497DB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8497DB-T2-E1
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | P-MOSFET | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -30V | |
Corrente de dreno | -13A | |
Corrente de dreno em impulso | -20A | |
Potência dissipada | 13W | |
Caixa | MICROFOOT® | |
Tensão descarga-fonte | ±12V | |
Resistência no estado de condução | 0,12Ω | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 49nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal P SMD VISHAY,
* SI8497DB-T2-E1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.34 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.34 USD