SI8802DB-T2-E1
Transístor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3,5A; Idm: 15A; 0,9W
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI8802DB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8802DB-T2-E1
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 8V | |
Corrente de dreno | 3,5A | |
Corrente de dreno em impulso | 15A | |
Potência dissipada | 0,9W | |
Caixa | MICROFOOT® | |
Tensão descarga-fonte | ±5V | |
Resistência no estado de condução | 135mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 6,5nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI8802DB-T2-E1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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