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Fabricante	VISHAY
Tipo de transístor	N-MOSFET
Tecnologia	TrenchFET®
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	30V
Corrente de dreno	2,5A
Corrente de dreno em impulso	10A
Potência dissipada	0,9W
Caixa	MICROFOOT®
Tensão descarga-fonte	±8V
Resistência no estado de condução	0,165Ω
Montagem	SMD
Carga da porta	10nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido

SI8808DB-T2-E1

Transístor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2,5A; Idm: 10A

Especificação