SI8902AEDB-T2-E1
Transístor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
SI8902AEDB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8902AEDB-T2-E1
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transístor | N-MOSFET x2 | |
Tecnologia | TrenchFET® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 24V | |
Corrente de dreno | 11A | |
Corrente de dreno em impulso | 40A | |
Potência dissipada | 5,7W | |
Caixa | MICROFOOT® | |
Tensão descarga-fonte | ±12V | |
Resistência no estado de condução | 37mΩ | |
Montagem | SMD | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI8902AEDB-T2-E1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.47 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.47 USD