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SP8J5FRATB

Transístor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD


Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
SP8J5FRATB
Símbolo TME:
SP8J5FRATB

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
P-MOSFET x2
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
-30V
Corrente de dreno
-7A
Corrente de dreno em impulso
-28A
Potência dissipada
2W
Caixa
SO8
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
42mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
25nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Versão
ESD
Peso bruto0.1 g
Certificados

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