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Fabricante	STMicroelectronics
Tipo de transístor	N-MOSFET
Tecnologia	SuperMesh™
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	800V
Corrente de dreno	8A
Corrente de dreno em impulso	44A
Potência dissipada	150W
Caixa	D2PAK
Tensão descarga-fonte	±30V
Resistência no estado de condução	0,4Ω
Montagem	SMD
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido

STB11NM80T4

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK

Especificação

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