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STH30N65DM6-7AG

Transístor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A

Fabricante: STMicroelectronics

Referência do Fabricante:
STH30N65DM6-7AG
Símbolo TME:
STH30N65DM6-7AG

Especificação

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
MDmesh™ DM6
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
18A
Corrente de dreno em impulso
112A
Potência dissipada
223W
Caixa
H2PAK7
Tensão descarga-fonte
±25V
Resistência no estado de condução
0,115Ω
Montagem
SMD
Carga da porta
46nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Aplicação
sector automóvel
Peso bruto2 g
Certificados

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