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Fabricante	VISHAY
Tipo de transístor	N-MOSFET
Tecnologia	TrenchFET®
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	100V
Corrente de dreno	150A
Corrente de dreno em impulso	200A
Potência dissipada	278W
Caixa	D2PAK, TO263
Tensão descarga-fonte	±20V
Resistência no estado de condução	4,5mΩ
Montagem	SMD
Carga da porta	110nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido

SUM70042E-GE3

Transístor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A

Especificação