TP2435N8-G
Transístor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -231mA; Idm: -1,1A; 1,6W
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
TP2435N8-G
Símbolo TME:
TP2435N8-G
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transístor | P-MOSFET | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -350V | |
Corrente de dreno | -231mA | |
Corrente de dreno em impulso | -1,1A | |
Potência dissipada | 1,6W | |
Caixa | SOT89-3 | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 15Ω | |
Montagem | SMD | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Embalagem padrão do fabricante | 2000unid. |
Peso bruto0.231 g
Certificados
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* TP2435N8-GQuantidade de unidades (Multiplicidade: 2 000)
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Preço líquido para as quantidades de 2000 itens - 0.98 USDPreço bruto para as quantidades de 2000 itens - 0.98 USD
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Método de embalagem do fabricanteRolo = 2 000 itens