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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 100V | |
Corrente de dreno | 590A | |
Caixa | Y3-DCB | |
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 2,1mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 2,36kA | |
Potência dissipada | 2,2kW | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 2µC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin | |
Montagem mecânica | roscado |