VP0109N3-G
Transístor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -250mA; Idm: -0,8A; 1W; TO92
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
VP0109N3-G
Símbolo TME:
VP0109N3-G
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transístor | P-MOSFET | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -90V | |
Corrente de dreno | -0,25A | |
Corrente de dreno em impulso | -0,8A | |
Potência dissipada | 1W | |
Caixa | TO92 | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 8Ω | |
Montagem | THT | |
Espécie de embalagem | a granel | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Embalagem padrão do fabricante | 1000unid. |
Peso bruto0.215 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
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* VP0109N3-GQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 1.11 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 1.11 USD
Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 0.99 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 0.99 USD
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