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Fabricante	VISHAY
Tipo de módulo semicondutor	IGBT
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão máxima inversa	1,2kV
Corrente do coletor	100A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Tensão porta - emissor	±20V
Corrente do coletor no impulso	240A
Tecnologia	Trench
Propriedades de dispositivos semicondutores	integrated anti-parallel diode
Montagem mecânica	roscado

VS-GT100DA120UF

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; Trench

Especificação