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VS-GT80DA120U

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B

Fabricante: VISHAY

Referência do Fabricante:
VS-GT80DA120U
Símbolo TME:
VS-GT80DA120U

Especificação

Fabricante
VISHAY
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
80A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
170A
Tecnologia
Trench
Propriedades de dispositivos semicondutores
integrated anti-parallel diode
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto30 g
Certificados
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VS-GT80DA120U
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