VS-GT90DA120U
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 106A; Trench
Fabricante: VISHAY
Referência do Fabricante:
VS-GT90DA120U
Símbolo TME:
VS-GT90DA120U
Especificação
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 106A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 350A | |
Tecnologia | Trench | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | integrated anti-parallel diode | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* VS-GT90DA120UQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 46.20 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 46.20 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 41.53 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 41.53 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 40.08 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 40.08 USD