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VUI30-12N1

Módulo: IGBT; díodo/transístor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
VUI30-12N1
Símbolo TME:
VUI30-12N1

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
3-phase PFC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
65A
Caixa
V1-A-Pack
Aplicação
inversor
Montagem elétrica
FASTON conectores
Tensão porta - emissor
±20V
Tecnologia
FRED, NPT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto50 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
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VUI30-12N1
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 48.67 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 48.67 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 42.94 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 42.94 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 38.61 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 38.61 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 36.03 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 36.03 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)