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WMSC010H12B1P6T

Módulo; transístor/transístor; 1,2kV; 107A; Press-in PCB; 152W

Fabricante: WeEn Semiconductors

Referência do Fabricante:
WMSC010H12B1P6T
Símbolo TME:
WMSC010H12B1P6T

Especificação

Fabricante
WeEn Semiconductors
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
107A
Topologia
meia ponte MOSFET, termístor NTC
Montagem elétrica
Press-in PCB
Resistência no estado de condução
10mΩ
Corrente de dreno em impulso
210A
Potência dissipada
152W
Tecnologia
SiC
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto20 g
Certificados
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WMSC010H12B1P6T
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 16)
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