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2N5115E3

トランジスター: P-MOSFET; 30V; 15mA; 500mW

新製品

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
2N5115E3
TMEシンボル:
2N5115E3

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
P-MOSFET
ドレインーソース電圧
30V
ドレイン電流
15mA
電力損失
0.5W
ゲートーソース電圧
30V
ON抵抗値
100Ω
総重量0.051 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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2N5115E3
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