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A1P35S12M3

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBT ハーフブリッジ x3,NTCサーミスター; Ic: 35A

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
A1P35S12M3
TMEシンボル:
A1P35S12M3

仕様

メーカー
STMicroelectronics
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBT ハーフブリッジ x3, NTCサーミスター
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
35A
ケース
ACEPACK™1
アプリケーション 用途
インバーター, モーター
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
70A
電力損失
250W
構造的搭載
ネジ
総重量24.84 g
証明書
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A1P35S12M3
12 TMEに在庫あり
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メーカーによる梱包方法段ボール = 18 個