AB2M080120H
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 28A; Idm: 68A; 187W; TO247-3
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
AB2M080120H
TMEシンボル:
AB2M080120H
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | |
ドレイン電流 | 28A | |
パルスドレイン電流 | 68A | |
電力損失 | 187W | |
ケース | TO247-3 | |
ゲートーソース電圧 | -4...18V | |
ON抵抗値 | 80mΩ | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 46nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
アプリケーション 用途 | 自動車産業 |
総重量1 g
証明書
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