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AOTF10B65M2

トランジスター: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Eターンオフ: 0.13mJ; Eターンオン: 0.18mJ


メーカー: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
AOTF10B65M2
TMEシンボル:
AOTF10B65M2

仕様

メーカー
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
IGBT
コレクターエミッター電圧
650V
コレクター電流
10A
電力損失
12W
ケース
TO220F
ゲートーエミッター電圧
±30V
パルスコレクタ電流
30A
マウント
THT
ゲート電荷
24nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
28ns
ターンオフ時間
131ns
コレクターーエミッター飽和電圧
1.6V
ターンオフ損失エネルギー
0.13mJ
ターンオン損失エネルギー
0.18mJ
総重量1 g
証明書
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AOTF10B65M2
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