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APT1001RBVRG

トランジスター: N-MOSFET; POWER MOS 5®; ユニポーラ; 1kV; 11A; Idm: 44A; 280W

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT1001RBVRG
TMEシンボル:
APT1001RBVRG

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 5®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
11A
パルスドレイン電流
44A
電力損失
280W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
マウント
THT
ゲート電荷
225nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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