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APT1001RSVRG

トランジスター: N-MOSFET; POWER MOS 5®; ユニポーラ; 1kV; 11A; Idm: 44A; 280W


メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT1001RSVRG
TMEシンボル:
APT1001RSVRG

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 5®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
11A
パルスドレイン電流
44A
電力損失
280W
ケース
D3PAK
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
マウント
SMD
ゲート電荷
225nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量3.985 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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APT1001RSVRG
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個数 (倍数: 1)
最小発注量: 1.
倍数: 1.
メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個