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APT10M25BVRG

トランジスター: N-MOSFET; POWER MOS 5®; ユニポーラ; 100V; 75A; Idm: 300A; 300W

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT10M25BVRG
TMEシンボル:
APT10M25BVRG

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 5®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
100V
ドレイン電流
75A
パルスドレイン電流
300A
電力損失
300W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
25mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
225nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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