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APT17F100B

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT17F100B
TMEシンボル:
APT17F100B

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 8®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
11A
パルスドレイン電流
70A
電力損失
625W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
780mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
150nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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