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APT25GP120BDQ1G

トランジスター: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT25GP120BDQ1G
TMEシンボル:
APT25GP120BDQ1G

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
IGBT
技術
POWER MOS 7®, PT
コレクターエミッター電圧
1.2kV
コレクター電流
33A
電力損失
417W
ケース
TO247-3
ゲートーエミッター電圧
±30V
パルスコレクタ電流
90A
マウント
THT
ゲート電荷
110nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
26ns
ターンオフ時間
200ns
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
総重量6.097 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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