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APT31M100B2

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 1kV; 20A; Idm: 120A; 1.04kW; TO247MAX

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT31M100B2
TMEシンボル:
APT31M100B2

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 8®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
20A
パルスドレイン電流
120A
電力損失
1.04kW
ケース
TO247MAX
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
0.38Ω
マウント
THT
ゲート電荷
260nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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