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APT33GF120LRDQ2G

トランジスター: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; TO264

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT33GF120LRDQ2G
TMEシンボル:
APT33GF120LRDQ2G

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
IGBT
技術
NPT
コレクターエミッター電圧
1.2kV
コレクター電流
30A
電力損失
357W
ケース
TO264
ゲートーエミッター電圧
±30V
パルスコレクタ電流
75A
マウント
THT
ゲート電荷
170nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
31ns
ターンオフ時間
355ns
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
総重量6 g
証明書

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