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APT40GR120B2D30

トランジスター: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT40GR120B2D30
TMEシンボル:
APT40GR120B2D30

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
IGBT
技術
NPT, POWER MOS 8®
コレクターエミッター電圧
1.2kV
コレクター電流
40A
電力損失
500W
ケース
T-Max
ゲートーエミッター電圧
±30V
パルスコレクタ電流
160A
マウント
THT
ゲート電荷
0.21µC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
47ns
ターンオフ時間
232ns
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
パーツステータス
新しいデザインに推奨されていない
総重量6.76 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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APT40GR120B2D30
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在庫限りで販売終了
メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個