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APT5010B2VRG

トランジスター: N-MOSFET; POWER MOS 5®; ユニポーラ; 500V; 47A; Idm: 188A; 520W

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT5010B2VRG
TMEシンボル:
APT5010B2VRG

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 5®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
500V
ドレイン電流
47A
パルスドレイン電流
188A
電力損失
520W
ケース
TO247MAX
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
0.1Ω
マウント
THT
ゲート電荷
470nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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