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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
トランジスタータイプ | IGBT | |
技術 | POWER MOS 8®, PT | |
コレクターエミッター電圧 | 600V | |
コレクター電流 | 54A | |
電力損失 | 416W | |
ケース | TO247-3 | |
ゲートーエミッター電圧 | ±30V | |
パルスコレクタ電流 | 161A | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 158nC | |
梱包種類 | チューブ | |
ターンオン時間 | 37ns | |
ターンオフ時間 | 291ns | |
半導体部品の機能 | integrated anti-parallel diode |