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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
トランジスタータイプ | IGBT | |
技術 | NPT, POWER MOS 8® | |
コレクターエミッター電圧 | 650V | |
コレクター電流 | 100A | |
電力損失 | 892W | |
ケース | T-Max | |
ゲートーエミッター電圧 | ±30V | |
パルスコレクタ電流 | 400A | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 312nC | |
梱包種類 | チューブ | |
ターンオン時間 | 105ns | |
ターンオフ時間 | 336ns |