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APT9F100B

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT9F100B
TMEシンボル:
APT9F100B

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 8®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
5A
パルスドレイン電流
37A
電力損失
337W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
1.6Ω
マウント
THT
ゲート電荷
80nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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