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APT9M100S

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; D3PAK

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT9M100S
TMEシンボル:
APT9M100S

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
POWER MOS 8®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
6A
パルスドレイン電流
37A
電力損失
335W
ケース
D3PAK
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
1.4Ω
マウント
SMD
ゲート電荷
80nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量6 g
証明書

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