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B2M040120Z

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 51A; Idm: 128A; 348W; TO247-4

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
B2M040120Z
TMEシンボル:
B2M040120Z

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
51A
パルスドレイン電流
128A
電力損失
348W
ケース
TO247-4
ゲートーソース電圧
-4...18V
ON抵抗値
40mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
90nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
半導体部品の機能
ケルビン端子
総重量1 g
証明書

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