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メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | |
ドレイン電流 | 16A | |
パルスドレイン電流 | 39A | |
電力損失 | 123W | |
ケース | TO247-3 | |
ゲートーソース電圧 | -4...18V | |
ON抵抗値 | 0.16Ω | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 26nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された |