B2M160120R
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 15A; Idm: 39A; 117W; TO263-7
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
B2M160120R
TMEシンボル:
B2M160120R
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | |
ドレイン電流 | 15A | |
パルスドレイン電流 | 39A | |
電力損失 | 117W | |
ケース | TO263-7 | |
ゲートーソース電圧 | -4...18V | |
ON抵抗値 | 0.16Ω | |
マウント | SMD | |
ゲート電荷 | 26nC | |
梱包種類 | テーピング, リール | |
チャンネル種別 | 強化された | |
半導体部品の機能 | ケルビン端子 |
総重量1 g
証明書
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