B2M600170R
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.7kV; 4A; Idm: 10A; 60W; TO263-7
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
B2M600170R
TMEシンボル:
B2M600170R
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1.7kV | |
ドレイン電流 | 4A | |
パルスドレイン電流 | 10A | |
電力損失 | 60W | |
ケース | TO263-7 | |
ゲートーソース電圧 | -4...18V | |
ON抵抗値 | 0.6Ω | |
マウント | SMD | |
ゲート電荷 | 14nC | |
梱包種類 | テーピング, リール | |
チャンネル種別 | 強化された | |
半導体部品の機能 | ケルビン端子 |
総重量1 g
証明書
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